我国材料科学与半导体产业的落后局面，造成每年进口的半导体芯片和器件达到2000多亿美元，甚至超过
我国材料科学与半导体产业的落后局面，造成每年进口的半导体芯片和器件达到2000多亿美元，甚至超过了石油进口额，不仅受制于人而且已经严重危及国家安全。作为企业的总舵手，山东天岳先进科技董事长宗艳民大学学习的是材料工程专业，深知我们的祖国材料科学的落后局面，大学时期就励志做强材料，通过实现材料领域的突破，提升我们的祖国的产业高质量发展。目前，第一代、第二代半导体我们的祖国基本已经失去赶超机会，国际上发达国家都已确定进入第三代半导体时代。面对国际产业高质量发展趋势，宗艳民决定实现前端超越，直接进军第三代碳化硅半导体技术。
据了解，早在2007年，碳化硅半导体材料就被美国《财富》杂志列为改变世界的材料。但碳化硅半导体材料生长是控制原子的技术，一直是世界性难题。碳的熔点是3000摄氏度左右，硅的熔点是1400摄氏度左右，让亿万级数量的两种原子在高温下等比例排列成规定的结构，没有一点误差，才能形成碳化硅。因为该领域技术门槛非常高，国外经过几十年的发展也只有为数不多的几家公司实现了产业化，一直被美国、欧洲、日本等发达国家控制和垄断。
山东大学蒋民华院士经过十余年攻关，实现了碳化硅半导体材料实验室技术突破。但走出实验室需要承担巨大的产业化风险，因此迟迟未能产业化。2011年年底宗艳民得知此情况后，为了掌控核心技术，打与禁运，实现半导体技术跨代超越，他毅然与山东大学签约巨资购买有关技术，进行碳化硅半导体材料的产业化。宗艳民把自己十几年的创业积累做了风险投资，“掌握核心技术，实现自主可控，是国人的责任和担当!这样一个时间段绝对没考虑个人的利害得失。”没有工艺，宗艳民和他的团队自己试验，没有设备，他从全球范围内寻找外联设备厂家……先后累计投入12亿余元，试验近万次。经过不懈的自主创新研发，，最终取得数千项产业化科研成果，攻克了碳化硅晶体生长、切割、研磨、抛光等系列技术的世界级难题，摸索出一条成熟稳定的碳化硅衬底材料生产、加工工艺路线，终于打破了国外垄断，实现了中国新一代半导体材料的突破!为我们的祖国国防建设和实现新一代半导体产业高质量发展做出了重要贡献。
经过8年砥砺奋进的产业化历程，山东天岳先进科技已成长为行业内国际先进的碳化硅半导体材料世界级企业。目前山东天岳先进科技已是国家工信部主管的“中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟”理事长单位，建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站和2个省级研发平台，在海外设有4个研发中心，拥有60余人研发团队，先后承担
20余项国家、省部级课题。企业具有核心专利200余项，获得山东省技术发明一等奖和济南市科学技术进步一等奖，入选山东省首批关键核心技术知识产权，是山东省首批制造业单项冠军企业和山东百年品牌培育企业。同时山东天岳先进科技公司作为国家首批139家“民参军”企业之一，建有国家级半导体材料动员中心，经遴选已连续两次参加国家军民融合展。
关于企业家的责任宗艳民有自己独到的认识，他认为新时代的企业家始终要肩负三个责任：一个是经济责任，即企业一定要不断创造财富;一个是社会责任，即纳税、提供就业、做好社会公益;而核心责任就是国家责任，在国家最需要的时候，发挥自己的作用，关键时刻能顶上去!
据宗艳民介绍，虽然第一代、二代半导体技术我国已经非常困难赶上世界领先水平，但是第三代碳化硅半导体产业，在山东天岳先进科技实现碳化硅半导体材料突破后已经与世界发达国家进入了同一平台，我国终于在材料领域赢得了先机，有了产业突破的机会，山东天岳先进科技开始与国际领先企业竞技全产业链发展，担当起振兴我国新一代半导体产业的重任。
在宗艳民看来，前端材料突破是产业高质量发展的开始。现在整个产业链从材料到芯片，再到模组都是一件难求，碳化硅半导体产业已经全方面爆发。这从企业现在强劲的产业需求就能看出来，“现在订单已经接到明年下半年”，必须抓住历史机遇推进全产业链发展。2016年山东天岳先进科技“宽禁带功率半导体产业链项目”被国家发展改革委纳入《国家集成电路“十三五”重大生产力布局》重点项目，这也是山东省唯一一个纳入该重大布局的项目。近期企业高品质大尺寸宽禁带半导体碳化硅单晶衬底研发及产业化等项目列入山东省新旧动能转换重点工程建设项目。能预见山东天岳先进科技碳化硅半导体产业链一旦贯通，将产生巨大带动作用，有望形成千亿级规模的第三代半导体创新和产业高地，成为山东省新旧动能转换的有力助推器。
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