快充的标配，已有小鹏G6、极氪X、智己LS6等多款20-25万元价格段的标配碳化硅车型上市。
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第三代半导体碳化硅凭借高效率、高功率密度等优异特性，为应用系统“降本+增效”。
以新能源汽车主驱为例，根据 ST 测算，碳化硅逆变器效率比IGBT逆变器高 3.4%，可以有效提升续航、节省电池成本。
此外，由于碳化硅逆变器体积较小，还可搭载成本更低的冷却系统，以此来降低整车成本。因此新能源汽车主驱逆变器、车载 OBC、已率先开启 SiC SBD、SiC MOS 的渗透。
天岳先进：公司是一家国内领先的宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料生产商。目前，公司基本的产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。公司自主研发出半绝缘型碳化硅衬底产品，实现我国核心战略材料的自主可控。产品已批量供应至国内碳化硅半导体行业的下游核心客户，同时已被国外知名的半导体公司使用。
露笑科技：公司引进资深科研团队布局碳化硅衬底。公司碳化硅业务主要是通过控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司实施。
东尼电子：公司募投项目切入碳化硅衬底业务。2021年11月，公司以“年产 12 万片碳化硅半导体材料项目”为募投项目的非公开发行股票发行完成，其中募集资金3.3亿元将投资于该项目，为项目后续发展提供有效的保障，预计将于2023年11月达产。目前公司已拿到碳化硅下游优质外延片制造商的来料、成品等检测结果，反馈良好。
斯达半导：国内碳化硅器件龙头，碳化硅器件已批量供应新势力头部厂商，另有10余款新车型定点，多个SiC-MOSFET模块项目定点。公司布局宽禁带功率半导体器件。在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出的各类SiC模块得到进一步的推广应用。在新能源汽车领域，公司新增多个使用全SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点。
扬杰科技：在互动平台回复称，公司持续增强对第三代半导体的研发力度，其中碳化硅系列二极管、MOSFET等系列新产品均已得到多领域国内top客户认可，并实现批量出货。碳化硅晶圆项目厂房建设已经封顶，设备已在陆续进场中，相关这类的产品研发也在持续推进，预计2024年可通线量产。
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PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。二、
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷大范围的使用在各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。
10.5公斤/平方厘米，高温强度很好。抗弯强度直至1400℃仍不受温度的影响。1500℃时，弹性模量仍有100公斤/平方厘米。上述数据均测自大块材料。
材料的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种
（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气
（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。3) 低损耗一般而言，
器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、
，解决方案有以下两种。方案一：将IGBT单管上反并联的迅速恢复二极管换成基本
的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率
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